問10
相変化メモリの説明として、適切なものはどれか。
ア 一度だけ書き込みが可能な不揮発性メモリ
イ 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する
不揮発性メモリ
ウ フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
エ リフレッシュ動作が可能な揮発性メモリ
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相変化メモリの説明として、適切なものはどれか。
ア 一度だけ書き込みが可能な不揮発性メモリ
イ 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する
不揮発性メモリ
ウ フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
エ リフレッシュ動作が可能な揮発性メモリ