問10
相変化メモリの説明として、適切なものはどれか。

 ア 一度だけ書き込みが可能な不揮発性メモリ
 イ 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する
   不揮発性メモリ
 ウ フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
 エ リフレッシュ動作が可能な揮発性メモリ



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