問10
NAND 型フラッシュメモリに関する記述として、適切な
ものはどれか。
ア バイト単位で書込み、ページ単位で読出しを行う。
イ バイト単位で書込み及び読出しを行う。
ウ ページ単位で書込み、バイト単位で読出しを行う。
エ ページ単位で書込み及び読出しを行う。
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NAND 型フラッシュメモリに関する記述として、適切な
ものはどれか。
ア バイト単位で書込み、ページ単位で読出しを行う。
イ バイト単位で書込み及び読出しを行う。
ウ ページ単位で書込み、バイト単位で読出しを行う。
エ ページ単位で書込み及び読出しを行う。